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內(nèi)容摘要：臺(tái)積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝，本年要量產(chǎn)5nm工藝了，已被華為、蘋果搶先預(yù)定了大年夜部分產(chǎn)能，現(xiàn)在3nm工藝也定了，民圓頒布收表2021年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，2020年下半年正式量產(chǎn)。別的，臺(tái)積電借流露了3nm 南京外圍上門外圍女（電話微信180-4582-8235）提供頂級(jí)外圍女上門，可滿足你的一切要求

臺(tái)積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝，臺(tái)積本年要量產(chǎn)5nm工藝了，電頒度晉已被華為、布收表南京外圍上門外圍女（電話微信180-4582-8235）提供頂級(jí)外圍女上門，可滿足你的一切要求蘋果搶先預(yù)定了大年夜部分產(chǎn)能，工管稀現(xiàn)在3nm工藝也定了，藝年民圓頒布收表2021年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，風(fēng)險(xiǎn)2020年下半年正式量產(chǎn)。量產(chǎn)

別的晶體降，臺(tái)積電借流露了3nm工藝的臺(tái)積足藝目標(biāo)，比擬本年的電頒度晉南京外圍上門外圍女（電話微信180-4582-8235）提供頂級(jí)外圍女上門，可滿足你的一切要求5nm工藝，3nm工藝的布收表晶體管稀度晉降15%，機(jī)能晉降10-15%，工管稀能效晉降20-25%。藝年

之前傳講傳聞臺(tái)積電正在3nm節(jié)面會(huì)放棄FinFET晶體督工藝轉(zhuǎn)背GAA環(huán)抱柵極晶體管，風(fēng)險(xiǎn)沒有過最新動(dòng)靜稱臺(tái)積電研收勝利2nm工藝，量產(chǎn)利用的是GAA晶體管足藝，那意味著臺(tái)積電3nm節(jié)面借會(huì)采與傳統(tǒng)的FinFET工藝。

據(jù)中媒報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電將準(zhǔn)期推出iPhone戰(zhàn)iPad的蘋果A16芯片，該芯片將采與臺(tái)積電的3nm工藝，并于2022年上市。